-
鼎芯实业（深圳）有限公司
主营：电源IC,整流桥,肖特基,快恢复全系列 - 13632557728
鼎芯实业（深圳）有限公司
主营：电源IC,整流桥,肖特基,快恢复全系列
7
编辑人：MM
摘要 : 现今国内先进的手机快充技术需要在整流电流方面强大的技术支撑，ASEMI-MBR20100CT，揭秘手机新快充技术的强大整流后盾！
今天介绍给大家的是充电器内的**产品——ASEMI肖特基二极管MBR20100CT——充电器的强大后盾。
?充电器经常*坏？ASEMI有话说
很多充电器生产厂家经常抱怨产品一售出门没多久，就遭到客户投诉产品出现质量问题，被烧毁寻求退换货，为什么充电器会经常出现这样的情况呢？跟ASEMI合作已久的中山利XX科技（为保护个人隐私）的工程师说：充电器*被烧毁很大问题在于内部整流这一块，如果使用的肖特基二极管MBR20100CT质量不够硬，电性参数不达标，就会出现击穿现象，导致充电器烧毁；所以在采购MBR20100CT这一方面，一般的充电器都会采购大品牌，好品质的肖特基二极管，中国台湾ASEMI品牌，12年大品牌，品质有**。
ASEMI专注12年大品牌，钻石质量**肖特基二极管MBR20100CT
ASEMI有着12年的研发生产经验和先进的中国台湾技术设备，170人的专业研发团队为您设计核“芯”产品，MBR20100CT内部芯片均采用俄罗斯米克朗进口芯片，从一开始就保证了产品的持续稳定性；28条中国台湾健鼎测试线，为您完全消除产品的电性参数不达标的顾虑。
ASEMI品牌MBR20100CT肖特基二极管的核“芯”是什么呢？
ASEMI肖特基二极管MBR20100CT采用100％俄罗斯进口米克朗（Mikron）芯片为核心，其高抗冲击能力**国内整体水平。其塑封黑胶部分采用的进口环氧塑脂材质，使其拥有较强的包封性能；其引脚更是被ASEMI工程师们加粗设计，选用纯度为99.99％无氧铜为材质打造成的框架和引脚；ASEMI一直遵循着环保理念，型号印字应用镭射激光打标，响应环保理念；该产品采用目前先进的中国台湾健鼎一体化测试设备，足足检测12个参数且必须经过6道检测方可封装出厂。
质量优的肖特基二极管 ASEMI制造
如果您要找质量稳定、价格实惠的肖特基二极管，肖特基二极管检测好坏，那么您一定要来ASEMI哦！中山XX照明科技就很聪明的选择了ASEMI。在众多型号的肖特基二极管中挑出了合适自己的一款ASEMI肖特基二极管MBR20100CT。ASEMI也将会一如既往，用较信得过的质量，回馈广大的新老客户。
编辑人：MM
摘要 : 导读：在ASEMI半导体满足你对晶圆的好奇心，全部术语就在这里（上），ASEMI半导体为大家介绍了将近50个晶圆的专业术语，一时间介绍太多怕大家接受不了，但是有好东西ASEMI半导体还是
导读：在ASEMI半导体满足你对晶圆较的好奇心，全部术语就在这里（上），ASEMI半导体为大家介绍了将近50个晶圆的专业术语，一时间介绍太多怕大家接受不了，肖特基二极管型号大全，但是有好东西ASEMI半导体还是毫不吝啬跟大家分享的，肖特基二极管电路图，这不，又来啦~
凹槽 - 没有被完全清除的擦伤；手工印记 - 为区分不同的晶圆片而手工在背面做出的标记；雾度 - 晶圆片表面大量的缺陷，常常表现为晶圆片表面呈雾状；空穴 - 和正电荷类似，是由缺少价电子引起的；晶锭 - 由多晶或单晶形成的圆柱体，晶圆片由此切割而成；激光散射 - 由晶圆片表面缺陷引起的脉冲信号；光刻 - 从掩膜到圆片转移的过程；局部光散射 - 晶圆片表面特征，例如小坑或擦伤导致光线散射，肖特基，也称为光点缺陷。
批次 - 具有相似尺寸和特性的晶圆片一并放置在一个载片器内；多数载流子 - 一种载流子，在半导体材料中起支配作用的空穴或电子；机械测试晶圆片 - 用于测试的晶圆片；微粗糙 - 小于100微米的表面粗糙部分；索指数 - 三个整数，用于确定某个并行面。这些整数是来自相同系统的基本向量；小条件或方向 - 确定晶圆片是否合格的允许条件；堆垛 - 晶圆片表面**过0.25毫米的缺陷；桔皮 - 可以用肉眼看到的粗糙表；颗粒 - 晶圆片上的细小物质；颗粒计算 - 用来测试晶圆片颗粒污染的测试工具；颗粒污染 - 晶圆片表面的颗粒。
深坑 - 一种晶圆片表面无法消除的缺陷；点缺陷 - 不纯净的晶缺陷；测试晶圆片 - 影印过程中用于颗粒计算、测量溶解度和检测金属污染的晶圆片；主定位边 - 晶圆片上较长的定位边；加工测试晶圆片 - 用于区域清洁过程中的晶圆片；糙度 - 晶圆片表面间隙很小的纹理；*二定位边 - 比主定位边小的定位边，它的位置决定了晶圆片的类型和晶向；局部表面 - 晶圆片前面上平行或垂直于主定位边方向的区域；表面纹理 - 晶圆片实际面与参考面的差异情况；测试晶圆片 - 用于生产中监测和测试的晶圆片；**部硅膜厚度 - **部硅层表面和氧化层表面间的距离；**部硅膜 - 生产半导体电路的硅层，位于绝缘层**部；总计指示剂数(TIR) - 晶圆片表面位面间的较短距离。